2PG011 Todos los transistores

 

2PG011 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2PG011
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 40 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 540 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 610 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 125 pF
   Paquete / Cubierta: TO220D-A1
     - Selección de transistores por parámetros

 

2PG011 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  1
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2PG011

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG011Silicon N-channel enhancement IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)

Otros transistores... IXBH15N170 , IXBH9N140 , IXBH9N160 , IXBT15N170 , FGH40T65SHDF_F155 , FGPF30N45TTU , IGF40T120F , MBQ40T65FDSC , IHW40T60 , BT60N60ANF , GT50N324 , MGD622 , FGA40N65SMD , FGL40N120AND , MM10G3T120B , MM120G3T65BM , MM15G3T120B .

History: APT28GA60K | RJP30E3DPP-M0 | PDMB100E6 | NGB8207AN | BT40T60ANF | MMIX4B12N300 | SGP04N60

 

 
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