2PG011 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2PG011
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 40 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 540 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 610 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 125 pF
Paquete / Cubierta: TO220D-A1
Búsqueda de reemplazo de 2PG011 IGBT
2PG011 Datasheet (PDF)
2pg011.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG011Silicon N-channel enhancement IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)
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History: IRG4BC10K
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