2PG011 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2PG011

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40

Tensión colector-emisor (Vce): 540

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.95

Tensión emisor-compuerta (Veg): 30

Corriente del colector DC máxima (Ic): 40

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 610

Capacitancia de salida (Cc), pF: 125

Empaquetado / Estuche: TO220D-A1

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2PG011 Datasheet (PDF)

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG011Silicon N-channel enhancement IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 1MBH50D-060 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .