2PG011 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2PG011  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 40 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 540 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 610 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 125 pF

Encapsulados: TO220D-A1

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2PG011 datasheet

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2PG011

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). IGBT 2PG011 Silicon N-channel enhancement IGBT For plasma display panel drive For high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

Otros transistores... IXBH15N170, IXBH9N140, IXBH9N160, IXBT15N170, FGH40T65SHDF_F155, FGPF30N45TTU, IGF40T120F, MBQ40T65FDSC, YGP20N65T2, BT60N60ANF, GT50N324, MGD622, FGA40N65SMD, FGL40N120AND, MM10G3T120B, MM120G3T65BM, MM15G3T120B