BT60N60ANF Todos los transistores

 

BT60N60ANF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BT60N60ANF

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 300

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.2

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 120

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 110

Capacitancia de salida (Cc), pF: 310

Empaquetado / Estuche: TO3P

Búsqueda de reemplazo de BT60N60ANF - IGBT

 

BT60N60ANF Datasheet (PDF)

0.1. bt60n60anf.pdf Size:1437K _1

BT60N60ANF
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R BT60N60 ANF BT60N60 ANF FS IGBT VCES 600 V IC 60 A RoHS Ptot TC=25 300 W VCE(sat) 2.2 V TO-3PN FS

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 1MBH50D-060 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
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