BT60N60ANF Todos los transistores

 

BT60N60ANF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BT60N60ANF

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 300

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.2

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 120

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 110

Capacitancia de salida (Cc), pF: 310

Empaquetado / Estuche: TO3P

Búsqueda de reemplazo de BT60N60ANF - IGBT

 

BT60N60ANF Datasheet (PDF)

0.1. bt60n60anf.pdf Size:1437K _1

BT60N60ANF
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R BT60N60 ANF BT60N60 ANF FS IGBT VCES 600 V IC 60 A RoHS Ptot TC=25 300 W VCE(sat) 2.2 V TO-3PN FS

Otros transistores... IXBH9N140 , IXBH9N160 , IXBT15N170 , FGH40T65SHDF_F155 , FGPF30N45TTU , IGF40T120F , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , SGW30N60HS , GT50N324 , MGD622 , FGA40N65SMD , FGL40N120AND , MM10G3T120B , MM120G3T65BM , MM15G3T120B , MM20G3R135B .

 

 
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