2SH12 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SH12
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de 2SH12 - IGBT
2SH12 Datasheet (PDF)
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ADE208275 (Z)2SH12Silicon N-Channel IGBT1st. EditionFeb. 1995ApplicationTO220ABHigh speed power switchingFeatures2 High speed switching Low on saturation voltage11. Gate12. Collector233. Emitter3Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings Unit
Otros transistores... 2N6975 , 2N6976 , 2N6977 , 2N6978 , 2PG352 , 2PG401 , 2PG402 , 2SH11 , IRGP4066D , 2SH13 , 2SH14 , 2SH15 , 2SH16 , 2SH17 , 2SH18 , 2SH19 , 2SH20 .
Liste
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