Справочник IGBT. 2SH12

 

2SH12 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2SH12
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для 2SH12

 

 

2SH12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  hitachi
 2sh12.pdf

2SH12 2SH12

ADE208275 (Z)2SH12Silicon N-Channel IGBT1st. EditionFeb. 1995ApplicationTO220ABHigh speed power switchingFeatures2 High speed switching Low on saturation voltage11. Gate12. Collector233. Emitter3Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings Unit

Другие IGBT... 2N6975 , 2N6976 , 2N6977 , 2N6978 , 2PG352 , 2PG401 , 2PG402 , 2SH11 , IRGP4066D , 2SH13 , 2SH14 , 2SH15 , 2SH16 , 2SH17 , 2SH18 , 2SH19 , 2SH20 .

 

 
Back to Top