IXDH20N120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXDH20N120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 38 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 75 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF
Encapsulados: TO247
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IXDH20N120 datasheet
ixdh20n120.pdf
IXDH 20N120 VCES = 1200 V High Voltage IGBT IXDH 20N120 D1 IC25 = 38 A with optional Diode VCE(sat) typ = 2.4 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA C C TO-247 AD G G G C C (TAB) E E E G = Gate, E = Emitter IXDH 20N120 IXDH 20N120 D1 C = Collector , TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features NPT IGBT technology VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V
ixdh20n120d1.pdf
IXDH 20N120 VCES = 1200 V High Voltage IGBT IXDH 20N120 D1 IC25 = 38 A with optional Diode VCE(sat) typ = 2.4 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA C C TO-247 AD G G G C C (TAB) E E E G = Gate, E = Emitter IXDH 20N120 IXDH 20N120 D1 C = Collector , TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features NPT IGBT technology VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V
Otros transistores... IRG4ZH70UD , IRG4ZH71KD , IRGBC20S , IRGBC30S , IRGBC40S , IRGS14B40L , IRGS14C40L , IXDA20N120AS , TGAN60N60F2DS , IXDH20N120D1 , IXDH30N120 , IXDH30N120AU1 , IXDH30N120D1 , IXDN50N120AU1 , IXDN55N120 , IXDN55N120D1 , IXDN75N120 .
History: IRG4PC40W | IRGBC40S | IXGH12N100AU1
History: IRG4PC40W | IRGBC40S | IXGH12N100AU1
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