2M410B1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2M410B1 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 350 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 400 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 500 pF

Encapsulados: MODULE

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Búsqueda de reemplazo de 2M410B1 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

2M410B1 datasheet

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