2M410V Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2M410V 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 400 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 900 pF

Encapsulados: MODULE

📄📄 Copiar

Búsqueda de reemplazo de 2M410V IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

2M410V datasheet

2410,,1,,1, , , ,

..2. Size:227K russia
2m410v.pdf pdf_icon

2410,,1,,1, , , ,

0.1. Size:227K russia
2m410v1.pdf pdf_icon

2410,,1,,1, , , ,

9.1. Size:227K russia
2m410b1.pdf pdf_icon

2410,,1,,1, , , ,