2M410V1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2M410V1

Tipo de transistor: IGBT

Código de marcado: 2М410В1

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Máxima potencia disipada (Pc), W: 500

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20

Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 100

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.8

Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5

Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 400

Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 900

Paquete / Cubierta: MODULE

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2M410V1 Datasheet (PDF)

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