2M410V1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2M410V1
Tipo de transistor: IGBT
Código de marcado: 2М410В1
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 500
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 100
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.8
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 400
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 900
Paquete / Cubierta: MODULE
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2M410V1 Datasheet (PDF)
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