2M410V1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2M410V1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: 2М410В1
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 400 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 900 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
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2M410V1 Datasheet (PDF)
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History: FGH40N60SFDTU-F085 | ART20U120 | STGW80V60DF | FPF2C8P2NL07A | VS-GB75LP120N | NGTB20N120IHR | NGTB30N120IHS
History: FGH40N60SFDTU-F085 | ART20U120 | STGW80V60DF | FPF2C8P2NL07A | VS-GB75LP120N | NGTB20N120IHR | NGTB30N120IHS



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