2M410G - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2M410G
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: 2М410Г
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 350 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 400 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 500 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de 2M410G IGBT
2M410G Datasheet (PDF)
Otros transistores... MMGTU75J120U , FGA25S125P , JT015N065FED , 2M410A , 2M410B , 2M410B1 , 2M410V , 2M410V1 , FGL60N100BNTD , CI20T120P , IHW15N120E1 , RJH3044 , XNF15N60T , YGW60N65F1A1 , SGT60N60FD1PN , SGT60N60FD1P7 , FGH40T120SMD .
History: FMG2G400US60 | SKM500GA123D | VWI15-12P1 | IXSH25N120AU1 | IXGK35N120B | NGTB30N65IHL2WG | NGTB50N120FL2WG
History: FMG2G400US60 | SKM500GA123D | VWI15-12P1 | IXSH25N120AU1 | IXGK35N120B | NGTB30N65IHL2WG | NGTB50N120FL2WG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet