GPU50HF120D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GPU50HF120D1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 277 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 33 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 513 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 430 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de GPU50HF120D1 - IGBT
GPU50HF120D1 Datasheet (PDF)
gpu50hf120d1.pdf
GPU50HF120D1 GPU50HF120D1IGBT Module 1200V/50A 2 in one-package Features 1200V50A,V =3.2V@50A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 34mm half bridge module General Description Daxins IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive- heating, UPS and other high frequency applications
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Liste
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