GPU50HF120D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GPU50HF120D1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 277 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 33 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 513 pF

Encapsulados: MODULE

 Búsqueda de reemplazo de GPU50HF120D1 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

GPU50HF120D1 datasheet

 ..1. Size:421K  cn hmsemi
 gpu50hf120d1.pdf pdf_icon

GPU50HF120D1

GPU50HF120D1 GPU50HF120D1 IGBT Module 1200V/50A 2 in one-package Features 1200V50A,V =3.2V@50A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 34mm half bridge module General Description Daxin s IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive- heating, UPS and other high frequency applications

Otros transistores... SGT60T65FD1P7, SGT60T65FD1PS, SGT60T65FD1PT, GPK100HF120D1, GPK200HF120D2, GPU100HF120D1, GPU150HF120D2, GPU200HF120D2, FGW75N60HD, GPU75HF120D1, HM15N120A, HM20N120AB, HM20N120T, HM20N120TB, HM25N120T, HMG15N60, HMG15N60D