GPU50HF120D1 Todos los transistores

 

GPU50HF120D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GPU50HF120D1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 277 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 33 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 513 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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GPU50HF120D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  cn hmsemi
 gpu50hf120d1.pdf pdf_icon

GPU50HF120D1

GPU50HF120D1 GPU50HF120D1IGBT Module 1200V/50A 2 in one-package Features 1200V50A,V =3.2V@50A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 34mm half bridge module General Description Daxins IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive- heating, UPS and other high frequency applications

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History: JNG20T65KS | MSG100T100FQW | MSG60T65HHC0

 

 
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