HMG60N60A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HMG60N60A 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 321 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 142 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 294 pF

Encapsulados: TO3P

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HMG60N60A datasheet

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HMG60N60A/HMG60N60T 60A 600V C 2 HMG60N60A/HMG60N60T 1 G Field Stop UPS,SMPS PFC 3 E 60A 600V VCE(sat)( )=2.2V@IC=60A 12 12