SL40T65FL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL40T65FL
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 375 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 54 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 209 pF
Paquete / Cubierta: TO247
- Selección de transistores por parámetros
SL40T65FL Datasheet (PDF)
sl40t65fl.pdf

SL40T65FL650V 40A IGBTFeatures High Speed Switching & Low Power Loss VCE(sat) = 1.95V @ IC = 40A E = 0.35mJ @ T = 25C off C High Input Impedance t = 80ns (typ.) @di /dt = 1000A/ s rr F Maximum junction temperature 175C Applications PFC Welder UPS IH Cooker PV Inverter TO-247Maximum Rating Parameter Symbol Rating
sl40t65fl1.pdf

SL40T65FL1Features High Speed Switching &Low Power Loss V =1.95V@ I =40ACE(sat) C Eoff=0.35mJ@Tc=25 High Input Impedance Trr=80ns(Typ)@diF/dt=1000A/us Maximum junction temperatureT =175CvjmaxApplications UPS PFC Welder IH Cooker PV InverterAbsolute Ratings(Tc=25)Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage
Otros transistores... MGF65A6H , RJH65T14DPQ-A0 , GT30J122A , GT60M324 , DG25X12T2 , DG40X12T2 , GD100HFX65C1S , GD75HFF120C1S , CRG60T60AN3H , BG75B12UX3-I , BG100B12UX3-I , BG150B12LY2-I , BG150B12UY3-I , BG200B12UY3-I , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH .
History: RJH1CV5DPQ-E0 | NGTB30N120IHLWG | OST75N65HSVF | IRGIB7B60KD | IRGI4086 | IHW50N65R5 | HGTG7N60A4D
History: RJH1CV5DPQ-E0 | NGTB30N120IHLWG | OST75N65HSVF | IRGIB7B60KD | IRGI4086 | IHW50N65R5 | HGTG7N60A4D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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