SL40T65FL - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SL40T65FL
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 54 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 209 pF
Тип корпуса: TO247
SL40T65FL Datasheet (PDF)
sl40t65fl.pdf
SL40T65FL650V 40A IGBTFeatures High Speed Switching & Low Power Loss VCE(sat) = 1.95V @ IC = 40A E = 0.35mJ @ T = 25C off C High Input Impedance t = 80ns (typ.) @di /dt = 1000A/ s rr F Maximum junction temperature 175C Applications PFC Welder UPS IH Cooker PV Inverter TO-247Maximum Rating Parameter Symbol Rating
sl40t65fl1.pdf
SL40T65FL1Features High Speed Switching &Low Power Loss V =1.95V@ I =40ACE(sat) C Eoff=0.35mJ@Tc=25 High Input Impedance Trr=80ns(Typ)@diF/dt=1000A/us Maximum junction temperatureT =175CvjmaxApplications UPS PFC Welder IH Cooker PV InverterAbsolute Ratings(Tc=25)Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage
Другие IGBT... MGF65A6H , RJH65T14DPQ-A0 , GT30J122A , GT60M324 , DG25X12T2 , DG40X12T2 , GD100HFX65C1S , GD75HFF120C1S , IHW20N135R5 , BG75B12UX3-I , BG100B12UX3-I , BG150B12LY2-I , BG150B12UY3-I , BG200B12UY3-I , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2