SL40T65FL - аналоги и описание IGBT

 

SL40T65FL - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SL40T65FL

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 54 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 209 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SL40T65FL

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SL40T65FL даташит

 ..1. Size:2004K  slkor
 sl40t65fl.pdf pdf_icon

SL40T65FL

SL40T65FL 650V 40A IGBT Features High Speed Switching & Low Power Loss VCE(sat) = 1.95V @ IC = 40A E = 0.35mJ @ T = 25 C off C High Input Impedance t = 80ns (typ.) @di /dt = 1000A/ s rr F Maximum junction temperature 175 C Applications PFC Welder UPS IH Cooker PV Inverter TO-247 Maximum Rating Parameter Symbol Rating

 0.1. Size:6126K  slkor
 sl40t65fl1.pdf pdf_icon

SL40T65FL

SL40T65FL1 Features High Speed Switching & Low Power Loss V =1.95V@ I =40A CE(sat) C Eoff=0.35mJ@Tc=25 High Input Impedance Trr=80ns(Typ)@diF/dt=1000A/us Maximum junction temperature T =175 C vjmax Applications UPS PFC Welder IH Cooker PV Inverter Absolute Ratings(Tc=25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector-Emmiter Voltage

Другие IGBT... MGF65A6H , RJH65T14DPQ-A0 , GT30J122A , GT60M324 , DG25X12T2 , DG40X12T2 , GD100HFX65C1S , GD75HFF120C1S , SGT40N60FD2PN , BG75B12UX3-I , BG100B12UX3-I , BG150B12LY2-I , BG150B12UY3-I , BG200B12UY3-I , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH .

History: IXSH45N120B | IXSR35N120BD1 | SKM150GAL123D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.