MPBW25N120B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBW25N120B
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: MP25N120B
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 37 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 120 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 200 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MPBW25N120B - IGBT
MPBW25N120B Datasheet (PDF)
mpbw25n120b.pdf
MPBW25N120B 1200V 25AIGBT TO-247 MPBW25N120BMP25N120BTO2471 V
mpbw25n120bf.pdf
MPBW25N120BF1200V-25A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Frequency converterpositive temperature coefficient in VCEsat UPS Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW25N120BF MP25N120BF TO-247-3Maximum Rated Values
mpbp20n65ef mpba20n65ef mpbc20n65ef mpbw20n65ef mpbt20n65ef.pdf
MPBX20N65EF650V-20A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor Drivespositive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBP20N65EF MP20N65EF TO-220MPBA20N65EF MP20N65EF TO-220FMPBC20N6
Otros transistores... GD100HFX65C1S , GD75HFF120C1S , SL40T65FL , BG75B12UX3-I , BG100B12UX3-I , BG150B12LY2-I , BG150B12UY3-I , BG200B12UY3-I , GT30F131 , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , RGPR20NS43 , RGS80TSX2DHR , RGT50NL65D .
Liste
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