MPBW40N65BH Todos los transistores

 

MPBW40N65BH IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPBW40N65BH

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 51 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 141 pF

Encapsulados: TO247

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MPBW40N65BH datasheet

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MPBW40N65BH

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MPBW40N65BH

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MPBW40N65BH

MPBW40N65E 650V-40A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to UPS positive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsat fast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBW40N65E MP40N65E TO-247-3

 6.1. Size:605K  cn marching-power
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MPBW40N65BH

MPBW40N60BF 600V 40A IGBT UPS TO-247 MPBW40N60BF MP40N60BF TO-247 1 -

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