MPBW40N65BH Todos los transistores

 

MPBW40N65BH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPBW40N65BH
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 51 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 141 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

MPBW40N65BH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1240K  cn marching-power
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MPBW40N65BH

MPBW40N65BH 650V 40A IGBT UPS PFC TO-247 MPBW40N65BH MP40N65BH TO-247 1 -

 4.1. Size:719K  cn marching-power
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MPBW40N65BH

MPBW40N65BU 650V 40AIGBT UPS PFC TO-247 MPBW40N65BUMP40N65BUTO2471

 5.1. Size:994K  cn marching-power
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MPBW40N65BH

MPBW40N65E650V-40A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW40N65E MP40N65E TO-247-3

 6.1. Size:605K  cn marching-power
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MPBW40N65BH

MPBW40N60BF 600V 40A IGBT UPS TO-247 MPBW40N60BF MP40N60BF TO-247 1 -

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History: KGF20N60PA | IXGA20N60B | FGB20N60SFD-F085 | HGTP20N60C3 | IKQ120N60T | HGT1S20N60C3RS9A | MWI30-06A7

 

 
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