MPBW40N65BH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBW40N65BH
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: MP40N65BH
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 51 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 141 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 239 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MPBW40N65BH - IGBT
MPBW40N65BH Datasheet (PDF)
mpbw40n65bh.pdf
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MPBW40N65BU 650V 40AIGBT UPS PFC TO-247 MPBW40N65BUMP40N65BUTO2471
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MPBW40N65E650V-40A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW40N65E MP40N65E TO-247-3
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