MPBW40N65BH - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: MPBW40N65BH
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 51 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 141 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MPBW40N65BH
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MPBW40N65BH даташит
mpbw40n65e.pdf
MPBW40N65E 650V-40A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to UPS positive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsat fast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBW40N65E MP40N65E TO-247-3
mpbw40n60bf.pdf
MPBW40N60BF 600V 40A IGBT UPS TO-247 MPBW40N60BF MP40N60BF TO-247 1 -
Другие IGBT... SL40T65FL , BG75B12UX3-I , BG100B12UX3-I , BG150B12LY2-I , BG150B12UY3-I , BG200B12UY3-I , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , NGD8201N , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , RGPR20NS43 , RGS80TSX2DHR , RGT50NL65D , RGT50NS65D , RGT80TS65DGC13 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134