RGS80TSX2DHR - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RGS80TSX2DHR
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 555 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 161 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 104 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de RGS80TSX2DHR - IGBT
RGS80TSX2DHR Datasheet (PDF)
rgs80tsx2dhr.pdf
RGS80TSX2DHR1200V 40A Field Stop Trench IGBT DatasheetOutline TO-247NVCES1200VIC (100C)40AVCE(sat) (Typ.)1.7VPD555W(1) (2)(3)Inner Circuit(2)Features(1) Gate(2) Collector1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage *1(3) Emitter(1)2) Short Circuit Withstand Time 10s*1 Built in FRD3) Qualified to AEC-Q101(3)4) Built in Very Fast & S
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Liste
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