RGS80TSX2DHR IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RGS80TSX2DHR
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 555 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 161 pF
Encapsulados: TO247
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RGS80TSX2DHR datasheet
rgs80tsx2dhr.pdf
RGS80TSX2DHR 1200V 40A Field Stop Trench IGBT Datasheet Outline TO-247N VCES 1200V IC (100 C) 40A VCE(sat) (Typ.) 1.7V PD 555W (1) (2)(3) Inner Circuit (2) Features (1) Gate (2) Collector 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage *1 (3) Emitter (1) 2) Short Circuit Withstand Time 10 s *1 Built in FRD 3) Qualified to AEC-Q101 (3) 4) Built in Very Fast & S
Otros transistores... BG200B12UY3-I , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , RGPR20NS43 , YGW40N65F1 , RGT50NL65D , RGT50NS65D , RGT80TS65DGC13 , RGTH60TS65DGC13 , BT15T120CNR , BT15T60A8F , BT15T60A9F , BT25T120CKR .
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