RGS80TSX2DHR Todos los transistores

 

RGS80TSX2DHR - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RGS80TSX2DHR
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 555 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 161 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 104 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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RGS80TSX2DHR Datasheet (PDF)

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RGS80TSX2DHR

RGS80TSX2DHR1200V 40A Field Stop Trench IGBT DatasheetOutline TO-247NVCES1200VIC (100C)40AVCE(sat) (Typ.)1.7VPD555W(1) (2)(3)Inner Circuit(2)Features(1) Gate(2) Collector1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage *1(3) Emitter(1)2) Short Circuit Withstand Time 10s*1 Built in FRD3) Qualified to AEC-Q101(3)4) Built in Very Fast & S

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History: VS-GT300YH120N | IGC18T120T8L

 

 
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