RGS80TSX2DHR - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RGS80TSX2DHR
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 555
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 27
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 161
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de RGS80TSX2DHR - IGBT
RGS80TSX2DHR Datasheet (PDF)
rgs80tsx2dhr.pdf
RGS80TSX2DHR1200V 40A Field Stop Trench IGBT DatasheetOutline TO-247NVCES1200VIC (100C)40AVCE(sat) (Typ.)1.7VPD555W(1) (2)(3)Inner Circuit(2)Features(1) Gate(2) Collector1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage *1(3) Emitter(1)2) Short Circuit Withstand Time 10s*1 Built in FRD3) Qualified to AEC-Q101(3)4) Built in Very Fast & S
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Liste
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