RGT50NL65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RGT50NL65D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 194 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 48 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 32 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 56 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 49 nC
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de RGT50NL65D - IGBT
RGT50NL65D Datasheet (PDF)
rgt50nl65d.pdf
RGT50NL65D650V 25A Field Stop Trench IGBT DatasheetOutline LPDL (TO-263L)VCES650V(2)IC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.65V(1)(3)PD194WFeatures Inner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2)(1) Gate2) Low Switching Loss(2) Collector*13) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter(1)4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1
rgt50ns65d.pdf
RGT50NS65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline LPDS / TO-262VCES650V(2) IC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.65V(1) (3) PD194W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft
rgt50ts65d.pdf
RGT50TS65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD174W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built i
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