RGT50NL65D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: RGT50NL65D
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 194 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 56 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 49 nC
Тип корпуса: TO263
- подбор IGBT транзистора по параметрам
RGT50NL65D Datasheet (PDF)
rgt50nl65d.pdf

RGT50NL65D650V 25A Field Stop Trench IGBT DatasheetOutline LPDL (TO-263L)VCES650V(2)IC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.65V(1)(3)PD194WFeatures Inner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2)(1) Gate2) Low Switching Loss(2) Collector*13) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter(1)4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1
rgt50ns65d.pdf

RGT50NS65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline LPDS / TO-262VCES650V(2) IC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.65V(1) (3) PD194W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft
rgt50ts65d.pdf

RGT50TS65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD174W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built i
Другие IGBT... MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , RGPR20NS43 , RGS80TSX2DHR , IKW50N60H3 , RGT50NS65D , RGT80TS65DGC13 , RGTH60TS65DGC13 , BT15T120CNR , BT15T60A8F , BT15T60A9F , BT25T120CKR , BT40T120CKF .
History: PPNHZ52F120A | MPBW50N65E | MPBQ120N65GSF | 1MBI300F-120 | HGT1S14N36G3VL
History: PPNHZ52F120A | MPBW50N65E | MPBQ120N65GSF | 1MBI300F-120 | HGT1S14N36G3VL



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet