RGT50NS65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RGT50NS65D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 194
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 48
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.65
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 32
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 56
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 49
Paquete / Cubierta: LPDS
Búsqueda de reemplazo de RGT50NS65D - IGBT
RGT50NS65D Datasheet (PDF)
rgt50ns65d.pdf
RGT50NS65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline LPDS / TO-262VCES650V(2) IC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.65V(1) (3) PD194W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft
rgt50nl65d.pdf
RGT50NL65D650V 25A Field Stop Trench IGBT DatasheetOutline LPDL (TO-263L)VCES650V(2)IC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.65V(1)(3)PD194WFeatures Inner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2)(1) Gate2) Low Switching Loss(2) Collector*13) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter(1)4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1
rgt50ts65d.pdf
RGT50TS65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD174W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built i
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History: BT25T120CKR
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