RGT50NS65D - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: RGT50NS65D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 194 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 56 pF
Тип корпуса: LPDS
Аналог (замена) для RGT50NS65D
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
RGT50NS65D даташит
rgt50ns65d.pdf
RGT50NS65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline LPDS / TO-262 VCES 650V (2) IC(100 C) 25A VCE(sat) (Typ.) 1.65V (1) (3) PD 194W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft
rgt50nl65d.pdf
RGT50NL65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT Datasheet Outline LPDL (TO-263L) VCES 650V (2) IC(100 C) 25A VCE(sat) (Typ.) 1.65V (1) (3) PD 194W Features Inner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1
rgt50ts65d.pdf
RGT50TS65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 25A VCE(sat) (Typ.) 1.65V PD 174W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Built i
Другие IGBT... MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , RGPR20NS43 , RGS80TSX2DHR , RGT50NL65D , CRG40T60AK3HD , RGT80TS65DGC13 , RGTH60TS65DGC13 , BT15T120CNR , BT15T60A8F , BT15T60A9F , BT25T120CKR , BT40T120CKF , BT50T60ANFK .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet



