RGT50NS65D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: RGT50NS65D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 194 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 56 pF
Тип корпуса: LPDS
Аналог (замена) для RGT50NS65D
RGT50NS65D Datasheet (PDF)
rgt50ns65d.pdf

RGT50NS65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline LPDS / TO-262VCES650V(2) IC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.65V(1) (3) PD194W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft
rgt50nl65d.pdf

RGT50NL65D650V 25A Field Stop Trench IGBT DatasheetOutline LPDL (TO-263L)VCES650V(2)IC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.65V(1)(3)PD194WFeatures Inner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2)(1) Gate2) Low Switching Loss(2) Collector*13) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter(1)4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1
rgt50ts65d.pdf

RGT50TS65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD174W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built i
Другие IGBT... MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , RGPR20NS43 , RGS80TSX2DHR , RGT50NL65D , CRG40T60AK3HD , RGT80TS65DGC13 , RGTH60TS65DGC13 , BT15T120CNR , BT15T60A8F , BT15T60A9F , BT25T120CKR , BT40T120CKF , BT50T60ANFK .
History: MPFF50R12RB | MMG200S060B6EN | IXYX120N120C3
History: MPFF50R12RB | MMG200S060B6EN | IXYX120N120C3



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet