KWBW60N65F4EG - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KWBW60N65F4EG
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Máxima potencia disipada (Pc), W: 517
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 100
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.7
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 121
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 160
   Paquete / Cubierta: TO247

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KWBW60N65F4EG Datasheet (PDF)

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