KWMFP40R12NS3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KWMFP40R12NS3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 192 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 169 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de KWMFP40R12NS3 IGBT
KWMFP40R12NS3 Datasheet (PDF)
kwmfp40r12ns3.pdf
KWMFP40R12NS31200V 40A PIMIGBTNTC100% RBSOA(2*IC)(VCE=2.0V) (Eoff=2.05mJ)(>10us) IGBT()T =25C
Otros transistores... LEGM25BE120E2H , LEGM300BH120L2K , LEGM75BE120L5H , LEGM75BF120L5H , LEGM75TD120E2H , KWBW60N65F4EG , KWFFP10R12NS3 , KWGFP25R12NS3 , IXRH40N120 , KWRFF100R12SWM , KWRFF40R12SWM , KWRFF50R12SWM , KWRFF75R12SWM , MG100HF12MIC1 , MG100HF12MRC1 , MG100UZ12MRGJ , MG150HF12MIC2 .
History: APT65GP60B2 | FGY75T95SQDT | IXSP10N60B2D1 | RJP6016JPE | IXXH80N65B4 | AOD5B65N1 | STGWA30N120KD
History: APT65GP60B2 | FGY75T95SQDT | IXSP10N60B2D1 | RJP6016JPE | IXXH80N65B4 | AOD5B65N1 | STGWA30N120KD
Liste
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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