KWMFP40R12NS3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KWMFP40R12NS3
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 192
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.1(typ)
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 150
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 169
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 187
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de KWMFP40R12NS3 - IGBT
KWMFP40R12NS3 Datasheet (PDF)
kwmfp40r12ns3.pdf
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KWMFP40R12NS31200V 40A PIMIGBTNTC100% RBSOA(2*IC)(VCE=2.0V) (Eoff=2.05mJ)(>10us) IGBT()T =25C
Otros transistores... LEGM25BE120E2H , LEGM300BH120L2K , LEGM75BE120L5H , LEGM75BF120L5H , LEGM75TD120E2H , KWBW60N65F4EG , KWFFP10R12NS3 , KWGFP25R12NS3 , TGAN20N135FD , KWRFF100R12SWM , KWRFF40R12SWM , KWRFF50R12SWM , KWRFF75R12SWM , MG100HF12MIC1 , MG100HF12MRC1 , MG100UZ12MRGJ , MG150HF12MIC2 .
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