KWRFF100R12SWM Todos los transistores

 

KWRFF100R12SWM - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KWRFF100R12SWM
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 357 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 584 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 366 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

KWRFF100R12SWM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1294K  cn junshine
 kwrff100r12swm.pdf pdf_icon

KWRFF100R12SWM

KWRFF100R12SWM1200V 100A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=2.0V (Eoff=6.28mJ)>10usIGBT()T =25j

 9.1. Size:1839K  cn junshine
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KWRFF100R12SWM

KWRFF40R12SWM1200V 40A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.96V (Eoff=1.28mJ)IGBT()T =25j V 1200-

 9.2. Size:1902K  cn junshine
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KWRFF100R12SWM

KWRFF75R12SWM1200V 75A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.83V (Eoff=4.63mJ)>10usIGBT()T =25j

 9.3. Size:1814K  cn junshine
 kwrff50r12swm.pdf pdf_icon

KWRFF100R12SWM

KWRFF50R12SWM1200V 50A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.70V (Eoff=4.0mJ)>10usIGBT()T =25j

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History: MSG30T65FHS | JNG40T65HYU1 | IKW40N65F5 | MIXA20W1200TMH | IXYH40N65C3H1 | CM300DU-12F | SKM40GD123D

 

 
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