KWRFF100R12SWM - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KWRFF100R12SWM
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 357
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 200
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.1(typ)
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 584
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 366
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 392
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de KWRFF100R12SWM - IGBT
KWRFF100R12SWM Datasheet (PDF)
kwrff100r12swm.pdf
KWRFF100R12SWM1200V 100A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=2.0V (Eoff=6.28mJ)>10usIGBT()T =25j
kwrff40r12swm.pdf
KWRFF40R12SWM1200V 40A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.96V (Eoff=1.28mJ)IGBT()T =25j V 1200-
kwrff75r12swm.pdf
KWRFF75R12SWM1200V 75A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.83V (Eoff=4.63mJ)>10usIGBT()T =25j
kwrff50r12swm.pdf
KWRFF50R12SWM1200V 50A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.70V (Eoff=4.0mJ)>10usIGBT()T =25j
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