KWRFF100R12SWM - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: KWRFF100R12SWM
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 584 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 366 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для KWRFF100R12SWM
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
KWRFF100R12SWM даташит
kwrff50r12swm.pdf
KWRFF50R12SWM 1200V 50A IGBT IGBT 100% RBSOA 2*IC VCE=1.70V (Eoff=4.0mJ) >10us IGBT( ) T =25 j
Другие IGBT... LEGM300BH120L2K , LEGM75BE120L5H , LEGM75BF120L5H , LEGM75TD120E2H , KWBW60N65F4EG , KWFFP10R12NS3 , KWGFP25R12NS3 , KWMFP40R12NS3 , GT60N321 , KWRFF40R12SWM , KWRFF50R12SWM , KWRFF75R12SWM , MG100HF12MIC1 , MG100HF12MRC1 , MG100UZ12MRGJ , MG150HF12MIC2 , MG150HF12MRC2 .
History: GA250TS60U | SGT10T60SDM1P7 | KWRFF40R12SWM | IRGP50B60PD1PBF | GA200SA60U | SGT15T60SD1T | MG100HF12MIC1
History: GA250TS60U | SGT10T60SDM1P7 | KWRFF40R12SWM | IRGP50B60PD1PBF | GA200SA60U | SGT15T60SD1T | MG100HF12MIC1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44