Справочник IGBT. KWRFF100R12SWM

 

KWRFF100R12SWM - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: KWRFF100R12SWM
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 357
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 200
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.1(typ)
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 584
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 366
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 392
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для KWRFF100R12SWM

 

 

KWRFF100R12SWM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1294K  cn junshine
 kwrff100r12swm.pdf

KWRFF100R12SWM KWRFF100R12SWM

KWRFF100R12SWM1200V 100A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=2.0V (Eoff=6.28mJ)>10usIGBT()T =25j

 9.1. Size:1839K  cn junshine
 kwrff40r12swm.pdf

KWRFF100R12SWM KWRFF100R12SWM

KWRFF40R12SWM1200V 40A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.96V (Eoff=1.28mJ)IGBT()T =25j V 1200-

 9.2. Size:1902K  cn junshine
 kwrff75r12swm.pdf

KWRFF100R12SWM KWRFF100R12SWM

KWRFF75R12SWM1200V 75A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.83V (Eoff=4.63mJ)>10usIGBT()T =25j

 9.3. Size:1814K  cn junshine
 kwrff50r12swm.pdf

KWRFF100R12SWM KWRFF100R12SWM

KWRFF50R12SWM1200V 50A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.70V (Eoff=4.0mJ)>10usIGBT()T =25j

Другие IGBT... LEGM300BH120L2K , LEGM75BE120L5H , LEGM75BF120L5H , LEGM75TD120E2H , KWBW60N65F4EG , KWFFP10R12NS3 , KWGFP25R12NS3 , KWMFP40R12NS3 , YGW40N65F1A1 , KWRFF40R12SWM , KWRFF50R12SWM , KWRFF75R12SWM , MG100HF12MIC1 , MG100HF12MRC1 , MG100UZ12MRGJ , MG150HF12MIC2 , MG150HF12MRC2 .

 

 
Back to Top