Справочник IGBT. KWRFF100R12SWM

 

KWRFF100R12SWM Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: KWRFF100R12SWM
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 584 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 366 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для KWRFF100R12SWM

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

KWRFF100R12SWM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1294K  cn junshine
 kwrff100r12swm.pdf pdf_icon

KWRFF100R12SWM

KWRFF100R12SWM1200V 100A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=2.0V (Eoff=6.28mJ)>10usIGBT()T =25j

 9.1. Size:1839K  cn junshine
 kwrff40r12swm.pdf pdf_icon

KWRFF100R12SWM

KWRFF40R12SWM1200V 40A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.96V (Eoff=1.28mJ)IGBT()T =25j V 1200-

 9.2. Size:1902K  cn junshine
 kwrff75r12swm.pdf pdf_icon

KWRFF100R12SWM

KWRFF75R12SWM1200V 75A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.83V (Eoff=4.63mJ)>10usIGBT()T =25j

 9.3. Size:1814K  cn junshine
 kwrff50r12swm.pdf pdf_icon

KWRFF100R12SWM

KWRFF50R12SWM1200V 50A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.70V (Eoff=4.0mJ)>10usIGBT()T =25j

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... LEGM300BH120L2K , LEGM75BE120L5H , LEGM75BF120L5H , LEGM75TD120E2H , KWBW60N65F4EG , KWFFP10R12NS3 , KWGFP25R12NS3 , KWMFP40R12NS3 , GT30F132 , KWRFF40R12SWM , KWRFF50R12SWM , KWRFF75R12SWM , MG100HF12MIC1 , MG100HF12MRC1 , MG100UZ12MRGJ , MG150HF12MIC2 , MG150HF12MRC2 .

History: IXSN50N60BD3 | IXGX28N140B3H1 | RJH60V2BDPP-M0 | SKM600GA12E4

 

 
Back to Top

 


 
.