KWRFF75R12SWM Todos los transistores

 

KWRFF75R12SWM IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KWRFF75R12SWM
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 357 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.83 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 432 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 318 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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KWRFF50R12SWM 1200V 50A IGBT IGBT 100% RBSOA 2*IC VCE=1.70V (Eoff=4.0mJ) >10us IGBT( ) T =25 j ... See More ⇒

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History: BSM10GD120DN2 | DIM800DDS12-A

 

 
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