KWRFF75R12SWM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KWRFF75R12SWM 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 357 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.83 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 432 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 318 pF

Encapsulados: MODULE

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Búsqueda de reemplazo de KWRFF75R12SWM IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

KWRFF75R12SWM datasheet

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KWRFF50R12SWM 1200V 50A IGBT IGBT 100% RBSOA 2*IC VCE=1.70V (Eoff=4.0mJ) >10us IGBT( ) T =25 j

9.3. Size:1294K cn junshine
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