KWRFF75R12SWM - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KWRFF75R12SWM
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 357 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.83 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.1(typ) V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 432 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 318 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 351 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de KWRFF75R12SWM - IGBT
KWRFF75R12SWM Datasheet (PDF)
kwrff75r12swm.pdf
KWRFF75R12SWM1200V 75A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.83V (Eoff=4.63mJ)>10usIGBT()T =25j
kwrff40r12swm.pdf
KWRFF40R12SWM1200V 40A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.96V (Eoff=1.28mJ)IGBT()T =25j V 1200-
kwrff50r12swm.pdf
KWRFF50R12SWM1200V 50A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.70V (Eoff=4.0mJ)>10usIGBT()T =25j
kwrff100r12swm.pdf
KWRFF100R12SWM1200V 100A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=2.0V (Eoff=6.28mJ)>10usIGBT()T =25j
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Liste
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