Справочник IGBT. KWRFF75R12SWM

 

KWRFF75R12SWM Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: KWRFF75R12SWM
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.83 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.1(typ) V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 432 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 318 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 351 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для KWRFF75R12SWM

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

KWRFF75R12SWM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1902K  cn junshine
 kwrff75r12swm.pdf pdf_icon

KWRFF75R12SWM

KWRFF75R12SWM1200V 75A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.83V (Eoff=4.63mJ)>10usIGBT()T =25j

 9.1. Size:1839K  cn junshine
 kwrff40r12swm.pdf pdf_icon

KWRFF75R12SWM

KWRFF40R12SWM1200V 40A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.96V (Eoff=1.28mJ)IGBT()T =25j V 1200-

 9.2. Size:1814K  cn junshine
 kwrff50r12swm.pdf pdf_icon

KWRFF75R12SWM

KWRFF50R12SWM1200V 50A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.70V (Eoff=4.0mJ)>10usIGBT()T =25j

 9.3. Size:1294K  cn junshine
 kwrff100r12swm.pdf pdf_icon

KWRFF75R12SWM

KWRFF100R12SWM1200V 100A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=2.0V (Eoff=6.28mJ)>10usIGBT()T =25j

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXGT45N120 | LEGM200BA120L2H | TGAN40N90FD | 2MBI300U2B-060 | NCE07TD60B | SPT25N120F1A1T8TL | BSM150GB120DN2

 

 
Back to Top

 


 
.