CRG75T65AK5HD Todos los transistores

 

CRG75T65AK5HD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CRG75T65AK5HD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 468 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 90 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 103 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 278 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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CRG75T65AK5HD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1143K  crhj
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CRG75T65AK5HD

CRG75T65AK5HD CRG75T65AK5HD FS IGBT VCES 650 V IC 75 A RoHS Ptot TC=25 468 W VCE(sat) 1.65 V TO-247 FS VCE(s

 7.1. Size:963K  crhj
 crg75t60ak3hd.pdf pdf_icon

CRG75T65AK5HD

CRG75T60AK3HD CRG75T60AK3HD FS IGBT VCES 600 V RoHS IC 75 A Ptot TC=25 390 W VCE(sat) 1.70 V FS TO-247 VCE(sat),TYP

 7.2. Size:1230K  wuxi china
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CRG75T65AK5HD

Silicon FS Trench IGBT CRG75T60AK3HD General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 75 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 469 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.70 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturat

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