XD040Q120AT1S3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XD040Q120AT1S3
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: D40Q120AT1
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 277
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.9
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 58
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 200
Paquete / Cubierta: TO247
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XD040Q120AT1S3 Datasheet (PDF)
xd040q120at1s3.pdf
XD040Q120AT1S3 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 1200V, 40A V =2.0V@V =15V, I =40A CE(sat)(typ.) GE C Low Switching Losses V with Positive Temperature Coefficient CE(sat) Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Frequency Converters Uninterrupted Power Supply Air Conditioning Motor Drives T Marking Package Orde
xd040h120at1s3.pdf
XD040H120AT1S3 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 1200V, 40A V =1.6V@V =15V, I =40A CE(sat)(typ.) GE C Low Switching Losses V with Positive Temperature Coefficient CE(sat) Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Frequency Converters Uninterrupted Power Supply Air Conditioning Motor Drives T Marking Package Orde
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