XD040Q120AT1S3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: XD040Q120AT1S3
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: D40Q120AT1
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.9 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 58 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
XD040Q120AT1S3 Datasheet (PDF)
xd040q120at1s3.pdf

XD040Q120AT1S3 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 1200V, 40A V =2.0V@V =15V, I =40A CE(sat)(typ.) GE C Low Switching Losses V with Positive Temperature Coefficient CE(sat) Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Frequency Converters Uninterrupted Power Supply Air Conditioning Motor Drives T Marking Package Orde
xd040h120at1s3.pdf

XD040H120AT1S3 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 1200V, 40A V =1.6V@V =15V, I =40A CE(sat)(typ.) GE C Low Switching Losses V with Positive Temperature Coefficient CE(sat) Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Frequency Converters Uninterrupted Power Supply Air Conditioning Motor Drives T Marking Package Orde
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: SKM50GAL12T4
History: SKM50GAL12T4



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503