XD040Q120AT1S3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: XD040Q120AT1S3
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: D40Q120AT1
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.9 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 58 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для XD040Q120AT1S3
XD040Q120AT1S3 Datasheet (PDF)
xd040q120at1s3.pdf
XD040Q120AT1S3 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 1200V, 40A V =2.0V@V =15V, I =40A CE(sat)(typ.) GE C Low Switching Losses V with Positive Temperature Coefficient CE(sat) Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Frequency Converters Uninterrupted Power Supply Air Conditioning Motor Drives T Marking Package Orde
xd040h120at1s3.pdf
XD040H120AT1S3 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 1200V, 40A V =1.6V@V =15V, I =40A CE(sat)(typ.) GE C Low Switching Losses V with Positive Temperature Coefficient CE(sat) Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Frequency Converters Uninterrupted Power Supply Air Conditioning Motor Drives T Marking Package Orde
Другие IGBT... XNS25N120T , XNS40N120T , XD015H060CX1S3 , XD015H120CX1 , XD015H120CX1S3 , XD025H120CX1 , XD025H120CX1S3 , XD040H120AT1S3 , IKW40T120 , XD050H065CX1S3 , XD050H120CX1S4 , XD075H065CX1S3 , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2