XD050H120CX1S4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XD050H120CX1S4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 714 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 331 pF
Encapsulados: TO247-PLUS
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XD050H120CX1S4 datasheet
xd050h120cx1s4.pdf
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xd050h065cx1s3.pdf
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History: TA49052 | SRE60N065FSU | YGW40N65F1A1
History: TA49052 | SRE60N065FSU | YGW40N65F1A1
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