Справочник IGBT. XD050H120CX1S4

 

XD050H120CX1S4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XD050H120CX1S4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 714 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 331 pF
   Тип корпуса: TO247-PLUS
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

XD050H120CX1S4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:665K  cn xdm
 xd050h120cx1s4.pdf pdf_icon

XD050H120CX1S4

XD050H120CX1S4 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 1200V, 50A V =1.85V@V =15V, I =50A CE(sat)(typ.) GE C Low Switching Losses V with Positive Temperature Coefficient CE(sat) Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Frequency Converters Uninterrupted Power Supply Air Conditioning Motor Drives Key Performance and Pac

 8.1. Size:711K  cn xdm
 xd050h065cx1s3.pdf pdf_icon

XD050H120CX1S4

XD050H065CX1S3 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 650V, 50A V =1.55V@V =15V, I =50A CE(sat)(typ.) GE C Maximum Junction Temperature 175 Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Solar Converters Uninterrupted Power Supply Welding Converters Mid to High Range Switching Frequency Converters Key Performance and Package Par

Другие IGBT... XD015H060CX1S3 , XD015H120CX1 , XD015H120CX1S3 , XD025H120CX1 , XD025H120CX1S3 , XD040H120AT1S3 , XD040Q120AT1S3 , XD050H065CX1S3 , MBQ40T65FDSC , XD075H065CX1S3 , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 .

History: APT20GF120BR | IXSN35N120AU1 | 2MBI25L-120 | IXBF20N300 | MSG15T120FPE | MMG150SR120B | IRG4BC30F

 

 
Back to Top

 


 
.