XP035PJE120AT1B2 Todos los transistores

 

XP035PJE120AT1B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: XP035PJE120AT1B2
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 172 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 35(100C) A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.15 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.6(typ) V
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 180 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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XP035PJE120AT1B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:747K  cn xdm
 xp035pje120at1b2.pdf pdf_icon

XP035PJE120AT1B2

XP035PJE120AT1B2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures Trench+ Field Stop Technology1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Low Switching LossesApplications Frequency CovertersMotor DrivesAuxiliary InvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values Unit

Otros transistores... XD040H120AT1S3 , XD040Q120AT1S3 , XD050H065CX1S3 , XD050H120CX1S4 , XD075H065CX1S3 , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , XP025PJE120AT1B2 , RGT50TS65D , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 .

History: APTGT50SK170D1 | XP015PJE120AT1B1 | MMG75S120B6UN | BLG20T65FDLA-B | MIXA600CF650TSF | 1MBH50D-060 | SRE60N065FSU

 

 
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