Справочник IGBT. XP035PJE120AT1B2

 

XP035PJE120AT1B2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XP035PJE120AT1B2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 172
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 35(100C)
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.15
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.6(typ)
   Время нарастания типовое (tr), nS: 20
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 180
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для XP035PJE120AT1B2

 

 

XP035PJE120AT1B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:747K  cn xdm
 xp035pje120at1b2.pdf

XP035PJE120AT1B2 XP035PJE120AT1B2

XP035PJE120AT1B2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures Trench+ Field Stop Technology1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Low Switching LossesApplications Frequency CovertersMotor DrivesAuxiliary InvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values Unit

Другие IGBT... XD040H120AT1S3 , XD040Q120AT1S3 , XD050H065CX1S3 , XD050H120CX1S4 , XD075H065CX1S3 , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , XP025PJE120AT1B2 , IRG4PH50UD , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 .

 

 
Back to Top