XP25PJT120C0B2 Todos los transistores

 

XP25PJT120C0B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: XP25PJT120C0B2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 190 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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XP25PJT120C0B2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1094K  cn xdm
 xp25pjt120c0b2.pdf pdf_icon

XP25PJT120C0B2

XP25PJT120C0B2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures Low Switching Losses 1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Typical Applications Auxiliary Inverters Air Conditioning Motor Drives Uninterruptive Power Supply (UPS)IGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Con

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History: 2MBI300S-120 | IQIB100N60D3 | MG06150S-BN4MM | IRG7RC07SD | APTGT600U170D4 | SKM200GAH123DKL | IKW50N65WR5

 

 
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