XP25PJT120C0B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XP25PJT120C0B2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 190
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 50
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.9
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.4
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 20
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 117
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de XP25PJT120C0B2 - IGBT
XP25PJT120C0B2 Datasheet (PDF)
xp25pjt120c0b2.pdf
XP25PJT120C0B2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures Low Switching Losses 1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Typical Applications Auxiliary Inverters Air Conditioning Motor Drives Uninterruptive Power Supply (UPS)IGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Con
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Liste
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IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ