Справочник IGBT. XP25PJT120C0B2

 

XP25PJT120C0B2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XP25PJT120C0B2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 190
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.4
   Время нарастания типовое (tr), nS: 20
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 117
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для XP25PJT120C0B2

 

 

XP25PJT120C0B2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1094K  cn xdm
 xp25pjt120c0b2.pdf

XP25PJT120C0B2 XP25PJT120C0B2

XP25PJT120C0B2PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures Low Switching Losses 1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Typical Applications Auxiliary Inverters Air Conditioning Motor Drives Uninterruptive Power Supply (UPS)IGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Con

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top