SGM100HF12A3TFD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGM100HF12A3TFD 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100(80C) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 157 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2000 pF

Encapsulados: MODULE

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SGM100HF12A3TFD datasheet

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SGM100HF12A3TFD 100A 1200V IGBT 0B SGM100HF12A3TFD 1B 100A 1200V VCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A3 DBC

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