SGM100HF12A3TFD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGM100HF12A3TFD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100(80C) A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 157 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SGM100HF12A3TFD
SGM100HF12A3TFD Datasheet (PDF)
sgm100hf12a3tfd.pdf
SGM100HF12A3TFD 100A1200V IGBT 0B SGM100HF12A3TFD 1B 100A1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A3 DBC
sgm100hf12a1tfdt4.pdf
SGM100HF12A1TFDT4 100A1200V IGBT SGM100HF12A1TFDT4 100A1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A1 DBC
sgm100hf12a1tfd.pdf
SGM100HF12A1TFD 100A, 1200V IGBT 0B SGM100HF12A1TFD 1B 100A1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A1 DBC
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: SG50N06D3S | F3L300R12ME4_B23 | FGW25N120VD | VWI35-06P1 | DIM800XSM33-F
History: SG50N06D3S | F3L300R12ME4_B23 | FGW25N120VD | VWI35-06P1 | DIM800XSM33-F
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor