SGM100HF12A3TFD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGM100HF12A3TFD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100(80C)
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 125
   Время нарастания типовое (tr), nS: 157
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 2000
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 742
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SGM100HF12A3TFD

 

 

SGM100HF12A3TFD Datasheet (PDF)

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .