SGM75HF12A1TFDT4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGM75HF12A1TFDT4
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 75(80C)
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.98
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 125
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 110
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 320
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 400
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de SGM75HF12A1TFDT4 - IGBT
SGM75HF12A1TFDT4 Datasheet (PDF)
sgm75hf12a1tfd.pdf
SGM75HF12A1TFD 75A, 1200V IGBT SGM75HF12A1TFD , 20KHz 75A, 1200V, VCE(sat)( ) =2.1V@IC=75A VCE(sat) DB
sgm75hf12a1tfd1.pdf
SGM75HF12A1TFD 75A1200V IGBT SGM75HF12A1TFD 75A1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=75A VCE(sat) A1 DBC
sgm75hf12a1tfdt4.pdf
SGM75HF12A1TFDT4 75A1200V IGBT SGM75HF12A1TFDT4 75A1200VVCE(sat)( ) =1.98V@IC=75A VCE(sat) A1 DBC
sgm75hf12a1tld.pdf
SGM75HF12A1TLD 75A, 1200V IGBT SGM75HF12A1TLD , 75A1200VVCE(sat)( ) =2.0V@IC=75A VCE(sat) A1 VCE(sat) DBC TL
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Liste
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