SGM75HF12A1TFDT4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGM75HF12A1TFDT4
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75(80C) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.98 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 110 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 320 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 400 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de SGM75HF12A1TFDT4 IGBT
SGM75HF12A1TFDT4 Datasheet (PDF)
sgm75hf12a1tfd.pdf
SGM75HF12A1TFD 75A, 1200V IGBT SGM75HF12A1TFD , 20KHz 75A, 1200V, VCE(sat)( ) =2.1V@IC=75A VCE(sat) DB
sgm75hf12a1tfd1.pdf
SGM75HF12A1TFD 75A1200V IGBT SGM75HF12A1TFD 75A1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=75A VCE(sat) A1 DBC
sgm75hf12a1tfdt4.pdf
SGM75HF12A1TFDT4 75A1200V IGBT SGM75HF12A1TFDT4 75A1200VVCE(sat)( ) =1.98V@IC=75A VCE(sat) A1 DBC
sgm75hf12a1tld.pdf
SGM75HF12A1TLD 75A, 1200V IGBT SGM75HF12A1TLD , 75A1200VVCE(sat)( ) =2.0V@IC=75A VCE(sat) A1 VCE(sat) DBC TL
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