SGM75HF12A1TFDT4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGM75HF12A1TFDT4  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75(80C) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.98 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 110 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 320 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGM75HF12A1TFDT4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGM75HF12A1TFDT4 даташит

 ..1. Size:340K  silan
 sgm75hf12a1tfd.pdf pdf_icon

SGM75HF12A1TFDT4

SGM75HF12A1TFD 75A, 1200V IGBT SGM75HF12A1TFD , 20KHz 75A, 1200V, VCE(sat)( ) =2.1V@IC=75A VCE(sat) DB

 0.1. Size:688K  silan
 sgm75hf12a1tfd1.pdf pdf_icon

SGM75HF12A1TFDT4

SGM75HF12A1TFD 75A 1200V IGBT SGM75HF12A1TFD 75A 1200V VCE(sat)( ) =2.2V@IC=75A VCE(sat) A1 DBC

 0.2. Size:736K  silan
 sgm75hf12a1tfdt4.pdf pdf_icon

SGM75HF12A1TFDT4

SGM75HF12A1TFDT4 75A 1200V IGBT SGM75HF12A1TFDT4 75A 1200V VCE(sat)( ) =1.98V@IC=75A VCE(sat) A1 DBC

 2.1. Size:600K  silan
 sgm75hf12a1tld.pdf pdf_icon

SGM75HF12A1TFDT4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGM25PA12A8TFD, SGM35PA12A6BTFD, SGM40HF12A1TFD, SGM50HF12A1TFD, SGM50HF12A1TFDT4, SGM50PA12A6BTFD, SGM75HF12A1TFD, SGM75HF12A1TFD1, FGH60N60SMD, SGM75HF12A1TLD, SGT15T60QD1F, SGT20T60SDM1P7, SGT25T120FD1P7, SGT25U120FD1P7, SGT40N60FD2PN, SGT40N60FD2P7, SGT40N60NPFDPN