SGT25U120FD1P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT25U120FD1P7
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: 25U120FD1
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 278 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.8 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 85 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 91 nC
Paquete / Cubierta: TO247
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SGT25U120FD1P7 Datasheet (PDF)
sgt25u120fd1p7.pdf
SGT25U120FD1P7 25A1200V C2SGT25U120FD1P7 4 1PlusField Stop IV+G UPSSMPS PFC 3E 25A1200VVCE(sat)( )=2.2V@IC=25A
sgt25t120fd1p7.pdf
SGT25T120FD1P7 25A1200V SGT25T120FD1P7 Trench Field Stop UPSSMPS PFC 25A1200VVCE(sat)( )=2.25V@
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Liste
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