SGT25U120FD1P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT25U120FD1P7
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: 25U120FD1
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 278
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 50
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.2
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 30
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 85
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 91
Paquete / Cubierta: TO247
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SGT25U120FD1P7 Datasheet (PDF)
sgt25u120fd1p7.pdf
SGT25U120FD1P7 25A1200V C2SGT25U120FD1P7 4 1PlusField Stop IV+G UPSSMPS PFC 3E 25A1200VVCE(sat)( )=2.2V@IC=25A
sgt25t120fd1p7.pdf
SGT25T120FD1P7 25A1200V SGT25T120FD1P7 Trench Field Stop UPSSMPS PFC 25A1200VVCE(sat)( )=2.25V@
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Liste
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