SGT25U120FD1P7 Todos los transistores

 

SGT25U120FD1P7 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGT25U120FD1P7
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 278 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 85 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

 Búsqueda de reemplazo de SGT25U120FD1P7 IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SGT25U120FD1P7 datasheet

 ..1. Size:664K  silan
sgt25u120fd1p7.pdf pdf_icon

SGT25U120FD1P7

SGT25U120FD1P7 25A 1200V C 2 SGT25U120FD1P7 4 1 Plus Field Stop IV+ G UPS SMPS PFC 3 E 25A 1200V VCE(sat)( )=2.2V@IC=25A

 9.1. Size:323K  silan
sgt25t120fd1p7.pdf pdf_icon

SGT25U120FD1P7

SGT25T120FD1P7 25A 1200V SGT25T120FD1P7 Trench Field Stop UPS SMPS PFC 25A 1200V VCE(sat)( )=2.25V@

Otros transistores... SGM50PA12A6BTFD , SGM75HF12A1TFD , SGM75HF12A1TFD1 , SGM75HF12A1TFDT4 , SGM75HF12A1TLD , SGT15T60QD1F , SGT20T60SDM1P7 , SGT25T120FD1P7 , GT30J127 , SGT40N60FD2PN , SGT40N60FD2P7 , SGT40N60NPFDPN , SGT50T65FD1PN , SGT50T65FD1P7 , SGT50T65FD1PS , SGT50T65FD1PT , SGTP5T60SD1D .

History: GT30J127 | SGTP5T60SD1S | SGM75HF12A1TFD1 | SGT50T65FD1PS

 

 

 


 
↑ Back to Top
.