SGT40N60FD2PN IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT40N60FD2PN
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 380 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 88 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 190 pF
Encapsulados: TO3P
Búsqueda de reemplazo de SGT40N60FD2PN IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
SGT40N60FD2PN datasheet
sgt40n60fd2pn sgt40n60fd2p7 sgt40n60fd2pt.pdf
SGT40N60FD2PN(P7)(PT) 40A, 600V C 2 SGT40N60FD2PN(P7)(PT) 1 1 2 G 3 Field Stop III TO-247-3L SMPS UPS
sgt40n60fd2pn sgt40n60fd2p7.pdf
SGT40N60FD2PN(P7) 40A, 600V SGT40N60FD2PN(P7) Field Stop III UPS SMPS PFC 40A, 600V, VCE(sat) =1.
sgt40n60f2p7.pdf
SGT40N60F2P7 40A, 600V C 2 SGT40N60F2P7 1 Field Stop II G UPS SMPS PFC 3 E 4
Otros transistores... SGM75HF12A1TFD , SGM75HF12A1TFD1 , SGM75HF12A1TFDT4 , SGM75HF12A1TLD , SGT15T60QD1F , SGT20T60SDM1P7 , SGT25T120FD1P7 , SGT25U120FD1P7 , RJP30H2A , SGT40N60FD2P7 , SGT40N60NPFDPN , SGT50T65FD1PN , SGT50T65FD1P7 , SGT50T65FD1PS , SGT50T65FD1PT , SGTP5T60SD1D , SGTP5T60SD1F .
History: APT150GN120JDQ4 | HIL40N120TF
History: APT150GN120JDQ4 | HIL40N120TF
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g