SGTP5T60SD1D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTP5T60SD1D 📄📄
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 82 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 14 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 26 pF
Encapsulados: TO252
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SGTP5T60SD1D datasheet
sgtp5t60sd1d sgtp5t60sd1f sgtp5t60sd1s.pdf
SGTP5T60SD1D/F/S 5A 600V C 2 SGTP5T60SD1D/F/S 1 G 1 Field Stop 3 UPS SMPS PFC TO-252-2L 3 E 5A 600V VCE(sat)( )=1.5V@IC=5
sgtp5t60sd1dtr sgtp5t60sd1f sgtp5t60sd1s sgtp5t60sd1str.pdf
SGTP5T60SD1D(F)(S) 5A 600V C 2 SGTP5T60SD1D/F/S 1 G 1 Field Stop 3 UPS SMPS PFC TO-252-2L 3 E 5A 600V VCE(sat)( )=1.5V@IC=
sgtp50t120fdb4pwa.pdf
SGTP50T120FDB4PWA 50A 1200V C 2 SGTP50T120FDB4PWA 1 G Field Stop IV UPS SMPS PFC 3 E 50A 1200V VCE(sat)( )=2.0V@IC=50A
Otros transistores... SGT25U120FD1P7, SGT40N60FD2PN, SGT40N60FD2P7, SGT40N60NPFDPN, SGT50T65FD1PN, SGT50T65FD1P7, SGT50T65FD1PS, SGT50T65FD1PT, FGA60N65SMD, SGTP5T60SD1F, SGTP5T60SD1S, AU40N120T3A2, LGM100HF120S2F1A, LGM400HF65S4T1A, YGF15N65T2, YGK15N65T2, YGP15N65T2
History: YGK15N65T2
🌐 : EN ES РУ
Liste
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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