Справочник IGBT. SGTP5T60SD1D

 

SGTP5T60SD1D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTP5T60SD1D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: P5T60SD1
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 82 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 26 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 18.5 nC
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SGTP5T60SD1D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGTP5T60SD1D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:648K  silan
 sgtp5t60sd1d sgtp5t60sd1f sgtp5t60sd1s.pdf pdf_icon

SGTP5T60SD1D

SGTP5T60SD1D/F/S 5A600V C 2SGTP5T60SD1D/F/S 1G1Field Stop3 UPSSMPS PFC TO-252-2L3E 5A600VVCE(sat)( )=1.5V@IC=5

 0.1. Size:411K  silan
 sgtp5t60sd1dtr sgtp5t60sd1f sgtp5t60sd1s sgtp5t60sd1str.pdf pdf_icon

SGTP5T60SD1D

SGTP5T60SD1D(F)(S) 5A600V C 2SGTP5T60SD1D/F/S 1G1Field Stop3 UPSSMPS PFC TO-252-2L3E 5A600VVCE(sat)( )=1.5V@IC=

 9.1. Size:487K  silan
 sgtp50t120fdb4pwa.pdf pdf_icon

SGTP5T60SD1D

SGTP50T120FDB4PWA 50A1200V C 2SGTP50T120FDB4PWA 1GField Stop IVUPSSMPS PFC 3 E 50A1200VVCE(sat)( )=2.0V@IC=50A

 9.2. Size:472K  silan
 sgtp50v65sdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP5T60SD1D

SGTP50V65SDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.