YGF15N65T2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YGF15N65T2  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 30.6 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 50 pF

Encapsulados: TO220F

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YGF15N65T2 datasheet

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 ygf15n65t2 ygk15n65t2 ygp15n65t2.pdf pdf_icon

YGF15N65T2

YGF15N65T2 YGK15N65T2 YGP15N65T2 650V /15A Trench Field Stop IGBT Features Max Junction Temperature 175 C V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for improved reliability I 15 A C Short Circuit Rated V I =15A 1.50 V CE(SAT) C Very Low Saturation Voltage V = 1.50V (Typ.) @ I = 15A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms Applications

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