YGW20N65T2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YGW20N65T2  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 50 pF

Encapsulados: TO247

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YGW20N65T2 datasheet

 ..1. Size:601K  cn luxin semi
 ygf20n65t2 ygk20n65t2 ygp20n65t2 ygw20n65t2.pdf pdf_icon

YGW20N65T2

YGF20N65T2,YGK20N65T2 YGP20N65T2,YGW20N65T2 650V /20A Trench Field Stop IGBT Features Max Junction Temperature 175 C V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for improved reliability I 20 A C Short Circuit Rated V I =20A 1.65 V CE(SAT) C Very Low Saturation Voltage V = 1.65V (Typ.) @ I = 20A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms App

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