YGW10N120T3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YGW10N120T3
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 260 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.8 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 45 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 75 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de YGW10N120T3 - IGBT
YGW10N120T3 Datasheet (PDF)
ygw10n120t3.pdf
YGW10N120T3 1200V /10A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 10 A Cimproved reliability V I =10A 1.60 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : very tight parameter distribution high ruggedness, temperature stable behavior Short circuit withstand time 10s High ruggedness, temperature sta
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2