YGW10N120T3 Todos los transistores

 

YGW10N120T3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YGW10N120T3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 260 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 45 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

YGW10N120T3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:444K  cn luxin semi
 ygw10n120t3.pdf pdf_icon

YGW10N120T3

YGW10N120T3 1200V /10A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 10 A Cimproved reliability V I =10A 1.60 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : very tight parameter distribution high ruggedness, temperature stable behavior Short circuit withstand time 10s High ruggedness, temperature sta

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History: STGWA60NC60WDR | SKP10N60A | SGT10T60SD1S | GT30G131 | KGF75N60KDB | RJP60F4DPM

 

 
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