YGW10N120T3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YGW10N120T3
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 260
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 20
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.6
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 15
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 45
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 75
Paquete / Cubierta: TO247
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YGW10N120T3 Datasheet (PDF)
ygw10n120t3.pdf
YGW10N120T3 1200V /10A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 10 A Cimproved reliability V I =10A 1.60 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : very tight parameter distribution high ruggedness, temperature stable behavior Short circuit withstand time 10s High ruggedness, temperature sta
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Liste
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