IXGD60N60 Todos los transistores

 

IXGD60N60 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGD60N60

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 250

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.8

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 60

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 700

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO258

Búsqueda de reemplazo de IXGD60N60 - IGBT

 

IXGD60N60 Datasheet (PDF)

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