2SH16 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SH16
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 700 nS
Paquete / Cubierta: TO3PL
- Selección de transistores por parámetros
2SH16 Datasheet (PDF)
2sh16.pdf

ADE208289 (Z)2SH16Silicon N-Channel IGBT1st. EditionNov. 1994ApplicationTO3PLHigh speed power switchingFeatures2 High speed switching Low on saturation voltage11. Gate32. Collector13. Emitter23Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings Unit
Otros transistores... 2PG352 , 2PG401 , 2PG402 , 2SH11 , 2SH12 , 2SH13 , 2SH14 , 2SH15 , IRGP4066D , 2SH17 , 2SH18 , 2SH19 , 2SH20 , 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 .
History: APTGT600U170D4 | APTGT75SK120D1
History: APTGT600U170D4 | APTGT75SK120D1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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