STGD5H60DF Todos los transistores

 

STGD5H60DF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STGD5H60DF

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 83 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 10.8 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 34 pF

Encapsulados: DPAK

 Búsqueda de reemplazo de STGD5H60DF IGBT

- Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STGD5H60DF datasheet

 ..1. Size:862K  st
 stgb5h60df stgd5h60df stgf5h60df stgp5h60df.pdf pdf_icon

STGD5H60DF

STGB5H60DF, STGD5H60DF STGF5H60DF, STGP5H60DF Datasheet Trench gate field-stop 600 V, 5 A high speed H series IGBT Features TAB TAB High-speed switching 3 2 3 1 1 DPAK 2 Tight parameter distribution D PAK Safe paralleling TAB Low thermal resistance Short-circuit rated 3 2 3 1 Ultrafast soft recovery antiparallel diode 2 1 TO-220 TO-220FP Appl

 9.1. Size:395K  st
 stgd5nb120sz.pdf pdf_icon

STGD5H60DF

STGD5NB120SZ 5 A - 1200 V - low drop internally clamped IGBT Features Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability Off losses include tail current High voltage clamping 3 3 2 1 1 Applications DPAK IPAK Light dimmer Inrush current limitation Pre-heating for electronic lamp ballast Description This IGBT utilizes the advanced Power MESH

Otros transistores... STGB30H60DFB , STGP30H60DFB , STGB3HF60HD , STGD3HF60HDT4 , STGF3HF60HD , STGP3HF60HD , STGB40H65FB , STGB5H60DF , RJP30H2A , STGF5H60DF , STGP5H60DF , STGB6NC60HDT4 , STGD4M65DF2 , STGD6M65DF2 , STGD7NC60HT4 , STGF15M65DF2 , STGF20M65DF2 .

History: STGB40H65FB | AOK50B65H1 | BG100B12UX3-I | IGW40N120H3 | NCE40TD60BP | JT075N120F2MA1E | ISL9V3036S3S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.