STGD5H60DF Todos los transistores

 

STGD5H60DF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STGD5H60DF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 83 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 10.8 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 34 pF
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STGD5H60DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:862K  st
 stgb5h60df stgd5h60df stgf5h60df stgp5h60df.pdf pdf_icon

STGD5H60DF

STGB5H60DF, STGD5H60DF STGF5H60DF, STGP5H60DFDatasheetTrench gate field-stop 600 V, 5 A high speed H series IGBTFeaturesTABTAB High-speed switching32311DPAK2 Tight parameter distributionD PAK Safe parallelingTAB Low thermal resistance Short-circuit rated3231 Ultrafast soft recovery antiparallel diode21TO-220TO-220FPAppl

 9.1. Size:395K  st
 stgd5nb120sz.pdf pdf_icon

STGD5H60DF

STGD5NB120SZ5 A - 1200 V - low drop internally clamped IGBTFeatures Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability Off losses include tail current High voltage clamping33211ApplicationsDPAK IPAK Light dimmer Inrush current limitation Pre-heating for electronic lamp ballastDescriptionThis IGBT utilizes the advanced Power MESH

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXXP50N60B3 | IXDH30N120AU1 | CT20VML-8

 

 
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